Samsung – memperkenalkan berbagai inovasi terbaru di bidang memori dan penyimpanan data dalam ajang Future of Memory and Storage (FMS) 2026 yang berlangsung di Santa Clara, California, Amerika Serikat, pada Rabu (5/8/2026). Dalam acara tersebut, perusahaan asal Korea Selatan itu menampilkan sejumlah teknologi memori generasi terbaru yang di rancang untuk memenuhi kebutuhan komputasi modern, khususnya perkembangan kecerdasan buatan (AI).
Salah satu teknologi yang menjadi perhatian utama adalah V10 Bonded V-NAND (BV-NAND). Samsung menyebut teknologi ini sebagai chip memori flash V-NAND pertama di industri yang mampu menghadirkan lebih dari 400 lapisan penyimpanan. Pencapaian tersebut menjadi langkah penting dalam meningkatkan kapasitas memori tanpa memperbesar ukuran fisik chip.
Samsung Tingkatkan Kapasitas Memori dengan V10 BV-NAND
Samsung mengembangkan V10 BV-NAND melalui teknologi bonding yang memungkinkan perusahaan menyusun dan menggabungkan lapisan sel memori secara lebih padat. Metode ini membuat setiap chip mampu menyimpan jumlah data yang lebih besar di bandingkan generasi sebelumnya.
Menurut Samsung, V10 BV-NAND dapat menyediakan kapasitas penyimpanan sekitar 58 persen lebih tinggi di bandingkan V9 V-NAND dengan ukuran chip yang sama. Peningkatan tersebut memberikan keuntungan bagi perangkat yang membutuhkan kapasitas besar, seperti pusat data, sistem komputasi berkinerja tinggi, hingga infrastruktur berbasis AI.
Selain menawarkan kapasitas lebih besar, Samsung juga meningkatkan kemampuan operasional V10 BV-NAND. Teknologi ini di klaim memiliki kecepatan baca dan tulis data yang lebih tinggi. Selain itu, kemampuan input/output (I/O) juga mengalami peningkatan sehingga proses pertukaran data dapat berlangsung lebih cepat.
Samsung turut menyatakan bahwa generasi terbaru V-NAND tersebut memiliki efisiensi energi yang lebih baik. Faktor konsumsi daya menjadi salah satu perhatian utama industri teknologi karena kebutuhan data terus meningkat seiring berkembangnya layanan berbasis AI.
Ilustrasi chip memori 3D Samsung
HBM5 dan zHBM Dirancang untuk Kebutuhan AI Masa Depan
Selain teknologi penyimpanan berbasis flash, Samsung juga memperkenalkan inovasi pada sektor memori berkecepatan tinggi melalui HBM5 atau High Bandwidth Memory generasi terbaru. Jenis memori ini banyak di gunakan dalam sistem kecerdasan buatan karena mampu menangani perpindahan data dalam jumlah besar dengan kecepatan tinggi.
Samsung sebelumnya telah mengirimkan sampel HBM4E kepada sejumlah mitra bisnis. Kini, perusahaan melanjutkan pengembangan teknologi tersebut melalui HBM5 yang di tujukan untuk mendukung kebutuhan komputasi AI generasi berikutnya.
Samsung juga memperkenalkan teknologi zHBM yang memiliki pendekatan berbeda di bandingkan HBM konvensional. Jika HBM biasanya di tempatkan di sisi chip pemrosesan AI, zHBM di rancang untuk berada langsung di atas chip tersebut.
Desain penumpukan langsung ini membuat jarak perpindahan data menjadi lebih pendek. Dengan begitu, sistem dapat meningkatkan kecepatan pemrosesan sekaligus mengurangi penggunaan energi. Samsung mengklaim zHBM mampu menghadirkan performa hingga delapan kali lebih tinggi di bandingkan HBM5.
Selain peningkatan performa, teknologi ini juga menawarkan kepadatan memori yang lebih tinggi. Samsung menyebut zHBM dapat memiliki kapasitas hingga 10 kali lebih padat serta memberikan efisiensi energi tiga kali lebih baik di bandingkan teknologi sebelumnya.
zNAND-O dan LPDDR5X-PIM Perkuat Ekosistem AI
Samsung tidak hanya fokus pada memori untuk pusat data, tetapi juga menghadirkan teknologi yang mendukung pemrosesan AI di perangkat pengguna. Salah satunya melalui zNAND-O, teknologi flash memory terbaru yang di kembangkan berdasarkan arsitektur V-NAND.
Saat ini, Samsung mengembangkan zNAND-O dalam dua varian, yaitu empat layer dan delapan layer. Teknologi tersebut menawarkan peningkatan efisiensi ruang, kemampuan input/output yang lebih tinggi. Serta tingkat latensi yang lebih rendah di bandingkan NAND konvensional.
Samsung menjelaskan bahwa zNAND-O di rancang untuk mendukung kebutuhan edge AI. Teknologi edge AI memungkinkan proses pengolahan data dan kecerdasan buatan berjalan lebih dekat dengan perangkat pengguna, sehingga mampu mengurangi ketergantungan terhadap server pusat.
Sementara itu, teknologi zHBM lebih di arahkan untuk kebutuhan pelatihan dan pengoperasian model AI dalam lingkungan data center. Kedua teknologi tersebut menunjukkan strategi Samsung dalam menyediakan solusi memori untuk berbagai kebutuhan AI. Mulai dari perangkat pengguna hingga infrastruktur komputasi berskala besar.
Dalam kesempatan yang sama, Samsung juga memperkenalkan LPDDR5X-PIM. Teknologi ini menjadi salah satu inovasi penting karena menghadirkan Processing-In-Memory (PIM) pada memori LPDDR.
Melalui teknologi tersebut, sebagian proses komputasi dapat dilakukan langsung di dalam modul memori sebelum data di kirimkan ke prosesor utama. Pendekatan ini membantu meningkatkan bandwidth sekaligus mengurangi konsumsi energi karena sistem tidak perlu terlalu sering memindahkan data antara memori dan prosesor.
Seluruh inovasi tersebut di perkenalkan Samsung dalam sesi utama bertajuk “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture”. Melalui berbagai teknologi baru ini, Samsung menunjukkan komitmennya dalam mengembangkan solusi memori yang mampu menjawab kebutuhan industri AI yang terus berkembang.
Perusahaan melihat peningkatan kapasitas, efisiensi energi, dan kecepatan pemrosesan sebagai faktor penting dalam menghadapi pertumbuhan teknologi AI di masa depan. Dengan hadirnya V10 BV-NAND, HBM5, zHBM, zNAND-O, dan LPDDR5X-PIM. Samsung berupaya memperkuat posisinya sebagai salah satu pemain utama dalam industri memori global.
